纳米集成电路制造工艺 · Reading 学习版
这版把全书按 19 章拆成学习框架，面向设备工程岗位做准备：每章保留知识顺序、给通俗解释、列设备工程师该抓的工艺参数和英文关键词。公开版包含自制示意图、原理图和公开来源真实照片，不包含原书 PDF 或原书扫描页。
Reading study notes
Equipment engineer focus
English keywords
Chinese diagrams
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优先学习路线
光刻 / LithographyHigh
干法刻蚀 / EtchHigh
CMP / PlanarizationHigh
金属化 / MetallizationMedium
工艺全景图
器件与微缩理解 MOSFET、FinFET、短沟道效应、High-k/Metal Gate，为后续工艺选择建立物理直觉。
前段工艺 FEOL氧化、沉积、离子注入、应力工程、栅极与源漏形成，设备重点是均匀性、热预算与污染控制。
图形化工艺光刻、套刻、CD、NILS、OPC、多重图形化，设备重点是稳定性、对焦、overlay 与 defect。
刻蚀与清洗等离子刻蚀、选择比、各向异性、残留物清洗，设备重点是 chamber matching、endpoint 与 particle。
后段与良率金属互连、CMP、可靠性、量测、良率、封装测试，设备重点是 defect density 与 process window。